日立パワーデバイス特約店 ユニオンイーエス
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主要提供プロセス一覧  

当社と提携している日立原町電子工業のデータです。

プロセス区分内容
Si基板単結晶基板研削、研磨、ミラー仕上、CMP加工
SOI基板活性層/酸化膜/支持層
ホトリソコーター 
ディベロッパ 
アライナ
(片面、両面)
(ネガ)コンタクト、プロキシミティ、プロジェクション
(ポジ)コンタクト、プロジェクション、ステッパ(i線)
エッチング1
(ウェット)
標準エッチング酸化膜、窒化膜、ポリシリ膜、Si、メタル 他
特殊Siエッチングアルカリ異方性エッチング(KOH、TMAH 他)
エッチング2
(ドライ)
標準エッチング酸化膜、窒化膜、ポリシリ膜、Si、メタル 他
   狭電極アノードRIE、カソードRIE、等方性RIE
特殊Siエッチングシリコン深掘りエッチング
   Si-Deep RIE
酸化膜形成熱酸化膜ウェット方式、ドライ方式
低圧CVDTEOS酸化膜
常圧CVDCVD-SiO2、PSG、B-PSG
スピンガラス常温スピンコートガラス(リンドープ)
不純物拡散デポジションボロン、リン/デポジション、拡散
イオンインプラ中電流~大電流(ボロン、リン、ヒ素)
SiN成膜低圧Si窒化膜Si3N4膜形成
プラズマSi窒化膜P-SiN膜形成
   平行平板方式、ホットウォール方式
ポリSi成膜エピタキシャルポリシリ膜リンドープ可
低圧CVD低圧ポリシリコン、ノンドープ
メタル成膜スパッタ方式pure-AL、AL-Si、Mo-Si、AL-Cu-Si他
EB方式Cr、Ni、Au、Ti、Pt 他
貫通電極メッキ埋め込みビアホールメッキ
Poly-Si埋め込みドープドPoly-Si
接合陽極接合Si-ガラス接合
フリットガラス接合低融点フリットガラス接合
Si-Si熱接合 

MEMSファンドリーサービス

ファンドリー実績

更新日:2017/06/29 株式会社 ユニオンエレクトロニクスソリューション
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